ファイバ格子-安定化半導体ポンプソース

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000599104
Publication number (International publication number)：2003512717
Application date： Feb. 01, 2000
Publication date： Apr. 02, 2003
Summary：

【要約】パワーファイバデバイスをポンプする高出力半導体レーザ(例えば、ファイバ増幅器およびファイバレーザ)は、後端部と出力端部との間に配置された光学利得領域を含む。上記光学利得領域の幅は、上記出力端部の方が上記後端部よりも大きくなっている。上記光学利得領域は、フレア増幅器領域に結合された単一モードチャネル領域を含み得る。上記レーザからの光出力は、レンズシステムを介してファイバに結合され、これにより、ポンプ対象として上記ファイバデバイスに伝播する。光は、例えば、ファイバブラッグ格子から上記レーザにフィードバックされ、これにより、上記レーザをコヒーレンス崩壊状態で動作させる。

Claim (excerpt)：

後方ファセットおよびフレア利得セクションを有する半導体利得素子であって、該フレア利得セクションの広端部は、該利得素子の前方出力ファセットに結合され、該後方ファセットと該出力ファセットとの間に光空洞が形成される、半導体利得素子と、第1の端部を有する光ファイバであって、該光ファイバ中に屈折率格子が形成され、これにより、該半導体利得素子において増幅された光の波長で反射を提供する、光ファイバと、該利得素子の前面ファセットからの光を該光ファイバの第1の端部に光学的に結合させるように配置された光結合システムと、を備える半導体ポンプソースであって、該屈折率格子は反射率を有し、該半導体利得素子から距離をおいて配置され、該反射率および該距離は両方共、該ポンプソースのコヒーレンス崩壊動作のために選択される、半導体ポンプソース。

IPC (4)：

H01S 3/094 , H01S 3/06 , H01S 3/10 , H01S 5/14

FI (4)：

H01S 3/06 B , H01S 3/10 Z , H01S 5/14 , H01S 3/094 S

F-Term (13)：

5F072AB09 , 5F072AK06 , 5F072PP07 , 5F072QQ07 , 5F072YY17 , 5F073AA63 , 5F073AA67 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073BA09 , 5F073CA07

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Fiber Grating in Lasers and Amplifiers
High Power Grating Stabilized 1480nm Flared Semiconductor Pump Laser

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