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J-GLOBAL ID：200903087569564909

カーボンナノチューブを利用した電子デバイス

Inventor： バッハトルド アドリアン ,  デッカー セース
Applicant, Patent owner： テクニシェ ユニヴェルシテイト デルフト
Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003516113
Publication number (International publication number)：2004537174
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

基板に支持される管形状の炭素分子を組み込んでいる電子デバイスであって、分子が、ソース及びドレイン電極を具備した電子デバイスにおいて、前記ゲート電極が、金属性の電極である。前記金属性の電極は、酸化物の表面層を有し、好ましくは、天然酸化物を有する。前記金属性の電極は、アルミニウム、亜鉛、銅のグループから選択される。

Claim (excerpt)：

基板に支持されている管形状の炭素分子を組み込んでいる電子デバイスであって、 分子がソース及びドレイン電極、及びゲート電極を具備した電子デバイスにおいて、 前記ゲート電極が金属性の電極であることを特徴とする電子デバイス。

IPC (9)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (6)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/10 381 ,  H01L29/58 G

F-Term (39)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA07 ,  5F048BA14 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F083BS21 ,  5F083BS22 ,  5F083BS23 ,  5F083BS37 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F110AA30 ,  5F110BB07 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-204182   Applicant：日本電気株式会社