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J-GLOBAL ID：200903087570770733

窒化けい素回路基板

Inventor： 小森田 裕 ,  佐藤 孔俊 ,  池田 和男 ,  小松 通泰 ,  水野谷 信幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344235
Publication number (International publication number)：1997069590
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化けい素焼結体が本来備える高強度高靭性特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善できる一方、半導体装置へのアッセンブリ工程における実装性を改善した窒化けい素回路基板を提供する。【構成】熱伝導率が60W/m・K以上、好ましくは90W/m・K以上である高熱伝導性窒化けい素基板2に回路層4を一体に接合した回路基板1であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板2上に回路層4を介して複数の半導体素子6を搭載したことを特徴とする。上記回路層4は、直接接合法,活性金属法またはメタライズ法によって形成される。

Claim (excerpt)：

希土類元素を酸化物に換算して2.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以上である高熱伝導性窒化けい素基板に回路層を接合した回路基板であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板上に回路層を介して複数の半導体素子を搭載したことを特徴とする窒化けい素回路基板。

IPC (2)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/373

FI (2)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/36 M