Pat

J-GLOBAL ID：200903087579072915

電子デバイスおよびその製造方法

Inventor： 柏原 慶一朗 ,  奥平 智仁 ,  伊藤 博巳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993102511
Publication number (International publication number)：1994314794
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 MIS構造を有する電子デバイスにおいて、絶縁体層として十分な強誘電性を示すチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)またはチタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)を形成する。【構成】 シリコン基板1と、シリコン基板1上に設けられ、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムおよびチタン酸バリウムストロンチウムのいずれかからなる第1の絶縁体層2と、第1の絶縁体層2上に設けられ、PZTおよびPLZTのいずれかからなる第2の絶縁体層3と、第2の絶縁体層3上に設けられる電極4とを備えるMIS構造を有する電子デバイス。

Claim (excerpt)：

MIS構造を有する電子デバイスであって、前記MIS構造のための絶縁体層が、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムおよびチタン酸バリウムストロンチウムからなる群から選択される少なくとも1つのチタン酸塩からなる第1の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層に接し、かつチタン酸ジルコン酸塩からなる第2の絶縁体層とを備え、前記第1の絶縁体層は、前記MIS構造のための半導体と前記第2の絶縁体層との間に介在し、かつ前記第2の絶縁体層が、常温で強誘電性を示す、電子デバイス。

IPC (6)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/94 ,  H01L 41/24

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 41/22 Z