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J-GLOBAL ID：200903087584922323

液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 高田 学 ,  向井 信夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993170188
Publication number (International publication number)：1995030119
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 表面リーク電流値を下げ、画像ムラを防止する。【構成】 絶縁基板上にゲート電極層を形成する工程と、このゲート電極層上に所定の絶縁層を介して半導体層を形成する工程と、この半導体層上に少なくともモリブデン(Mo)を含有するソース・ドレイン電極層を形成する工程と、モリブデン(Mo)から生成したモリブデン酸化物を除去する工程とからなる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にゲート電極層を形成する工程と、前記ゲート電極層上に所定の絶縁層を介して半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に少なくともモリブデン(Mo)を含有するソース・ドレイン電極層を形成する工程と、前記モリブデン(Mo)から生成したモリブデン酸化物を除去する工程とからなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/40