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J-GLOBAL ID：200903087589782899

ガス貯蔵性有機金属錯体、その製造方法およびガス貯蔵装置

Inventor： 関 建司 ,  北川 進 ,  近藤 満
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999121178
Publication number (International publication number)：2000117100
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Apr. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 安価であるとともに体積当たりのガス吸着能が高く、繰り返し特性の良好なガスの貯蔵技術を提供する。【解決手段】二価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する二座配位可能な有機配位子、およびハロゲン化二価金属アニオンより構成される三次元構造を有するガス貯蔵可能な有機金属錯体。

Claim (excerpt)：

二価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する二座配位可能な有機配位子、およびハロゲン化二価金属アニオンより構成される三次元構造を有するガス貯蔵可能な有機金属錯体。

IPC (9)：

B01J 20/22 ,  B01J 20/30 ,  C07D213/16 ,  C07D213/22 ,  C07D213/81 ,  C07D241/12 ,  F17C 11/00 ,  F17C 13/00 302 ,  C07F 1/08

FI (9)：

B01J 20/22 A ,  B01J 20/30 ,  C07D213/16 ,  C07D213/22 ,  C07D213/81 ,  C07D241/12 ,  F17C 11/00 A ,  F17C 13/00 302 A ,  C07F 1/08 C