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J-GLOBAL ID：200903087592471713

半導体基板およびその製造方法

Inventor： 畠山 哲夫
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993004117
Publication number (International publication number)：1994216136
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ゲッタリング能力を有する第1の半導体基板と欠陥の少ない第2の半導体基板との接着強度が十分で、かつ第1の半導体基板のゲッタリング能力も活かせる半導体基板を提供する。【構成】 ゲッタリング能力を有する第1の半導体基板上に選択的に配設された絶縁膜を介して、該第1の半導体基板上に欠陥の少ない第2の半導体基板が固設されている半導体基板とその製造方法。

Claim (excerpt)：

ゲッタリング能力を有する第1の半導体基板上に選択的に配設された絶縁膜を介して、該第1の半導体基板上に欠陥の少ない第2の半導体基板が固設されてなることを特徴とする半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02