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J-GLOBAL ID：200903087600352338

MOSFETデバイスのシステムおよび方法

Inventor：
スナイダー, ジョン ピー.

About スナイダー, ジョン ピー.


Applicant, Patent owner：
スピネカ セミコンダクター, インコーポレイテッド

About スピネカ セミコンダクター, インコーポレイテッド


Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001545358
Publication number (International publication number)：2003517210
Application date： Dec. 15, 2000
Publication date： May. 20, 2003
Summary：
【要約】MISFEEDデバイスシステムおよびそれを製造する方法を開示する。本発明は、MISFEEDデバイス構造のコンテクスト内でソース接続および/またはドレイン接続のためにショットキーバリア接触(301、302)を利用して、短チャネル効果を制御するためにハロー/ポケット注入および浅いソース/ドレイン拡張部の必要性を除去する。付け加えると、本発明は、MISFEED製造と関連した寄生バイポーラ利得を無条件に除去し、製造コストを減らし、デバイス性能パラメータを厳密に制御し、従来技術と比較して優れたデバイス特性を提供する。
Claim (excerpt)：
電流の流れを制御するための短チャネルネルデバイスを製造する方法であって、該方法は、 ドーパント濃度を垂直方向に著しく変化させ、横方向にほぼ一定であるように半導体基板にチャネルドーパントを導入する工程と、 該半導体基板の表面上にゲート電極を提供する工程と、 該チャネル長が100nm以下である該半導体基板上のソース電極およびドレイン電極であって、ここで該ソース電極および該ドレイン電極のうち少なくとも一方が該半導体基板上にショットキー接触またはショットキーのような接触を形成する該ソース電極および該ドレイン電極を提供する工程と を包含する方法。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/417
FI (2)：
H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/50 M
F-Term (36)：
4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F140AA09 ,  5F140AA12 ,  5F140AA17 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG31 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特表昭62-500061
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066615   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 特表昭62-500061
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • SCHOTTKY BARRIER MOSFETS FOR SILICON NANOELECTRONICS
  • SCHOTTKY BARRIER MOSFETS FOR SILICON NANOELECTRONICS

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