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J-GLOBAL ID:200903087612699627
電子デバイス作製用構造体及びこれを用いた電子デバイスの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鷲頭 光宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004003586
Publication number (International publication number):2005198117
Application date: Jan. 09, 2004
Publication date: Jul. 21, 2005
Summary:
【課題】 製品形態の自由度を大幅に高めることが可能な電子デバイス作製用構造体を提供する。【解決手段】 本発明による電子デバイス作製用構造体は、基板11と、基板11上に設けられた導電体膜12とを備え、基板11に対する導電体膜12の密着力が0.1N/cm以下であることを特徴とする。本発明による電子デバイス作製用構造体は基板に対する導電体膜の密着力が十分に弱いことから、基板から導電体膜を容易に剥離することができる。このため、成膜時に使用する基板とは異なる他の基板上に電子デバイスを形成することが可能となり、製品形態の自由度を大幅に高めることが可能となる。特に、基板側における下部導電体膜の密着力が0.04N/cm以下であれば、基板からの導電体膜の剥離が極めて容易となる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に設けられた導電体膜とを備える電子デバイス作製用構造体であって、前記基板に対する前記導電体膜の密着力が0.1N/cm以下であることを特徴とする電子デバイス作製用構造体。
IPC (6):
H03H9/17
, H01L41/08
, H01L41/09
, H01L41/187
, H01L41/22
, H03H3/02
FI (7):
H03H9/17 F
, H03H3/02 B
, H01L41/08 C
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101D
, H01L41/08 L
, H01L41/08 D
F-Term (4):
5J108AA07
, 5J108FF01
, 5J108KK02
, 5J108MM14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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積層薄膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-134634
Applicant:ティーディーケイ株式会社
Cited by examiner (7)
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圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-257292
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-231256
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-144358
Applicant:旭化成株式会社
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Application number:特願2001-358356
Applicant:株式会社東芝
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Application number:特願2001-109369
Applicant:キヤノン株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-115803
Applicant:キヤノン株式会社, 香川豊
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Application number:特願2003-369837
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