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J-GLOBAL ID：200903087615294288

表面処理方法および装置ならびにこれにより得られた素子

Inventor： 三矢 宗久 ,  ラトビッチ・マーク ,  和田 恭雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995296776
Publication number (International publication number)：1997139374
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 微細加工とエッチングにより液体中で形成された、その全体あるいは一部が支持基板表面から分離せられた微小構造体あるいはアスペクト比の大きい微小構造体を、変形や破壊を生じることなく乾燥させること。ウォータマークの生成を防止すること。【解決手段】 微小構造体に付着した液体を耐圧容器内の所定の液体あるいは超臨界流体に溶解させることにより除去し、次いで容器圧力を臨界圧力以下に減ずることにより超臨界流体をガス化して除き、乾燥した微小構造体を大気中に取り出す。温度制御可能な耐圧容器はその排出ラインに濃度検出器を有する。

Claim (excerpt)：

被処理対象に対する所定の処理過程を経て形成される素子の表面処理方法において、該所定の処理あるいは洗浄処理が施こされた素子を、該所定の処理や洗浄に用いた液体が付着した状態で耐圧容器内において液体あるいは超臨界流体状態の所定化合物と接触させて素子表面に付着した液体を所定化合物の液体あるいは超臨界流体に溶解せしめ、次いで耐圧容器内の温度を所定化合物の臨界温度以上に保った状態で圧力を臨界圧力以下に低下せしめて該超臨界流体をガス化して取り除くことを特徴とする表面処理方法。