Pat

J-GLOBAL ID：200903087632626715

表面電離型イオン化装置

Inventor： 上垣 英之 ,  藤井 敏博
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所 ,  科学技術振興事業団 ,  国立環境研究所長
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998319408
Publication number (International publication number)：2000149866
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 超音速分子噴流のストレスによるエミッタの変形や損傷を防止する。【解決手段】 短冊形状のエミッタ4をノズル2に向けて凸面となるように湾曲させて配設する。ガス噴出孔3から噴出された試料成分分子の超音速自由噴流はエミッタ4に接触し、その表面で発生したイオンはコレクタ5に捕集される。エミッタ4は分子噴流による外力に対して大きな応力を有しているので、変形や損傷の恐れが軽減される。

Claim (excerpt)：

真空室内に配設された固体表面に向けて試料分子を噴射して表面電離作用により該分子をイオン化する表面電離型イオン化装置において、前記固体表面は分子噴流に向けて凸面状に撓んだ薄板形状を有して成ることを特徴とする表面電離型イオン化装置。

IPC (4)：

H01J 49/16 ,  G01N 27/62 ,  G01N 30/64 ,  H01J 27/26

FI (4)：

H01J 49/16 ,  G01N 27/62 S ,  G01N 30/64 F ,  H01J 27/26

F-Term (4)：

5C030DF01 ,  5C030DG09 ,  5C038GG13 ,  5C038GH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イオン化検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032949   Applicant：株式会社島津製作所