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J-GLOBAL ID：200903087637765705

イメージセンサの製造方法

Inventor： 浅井 市郎 ,  広田 匡紀
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 田中 隆秀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196832
Publication number (International publication number)：1993041512
Application date： Aug. 06, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトビアを所定のサイズに形成できるようにすること、およびソース/ドレイン部のコンタクト抵抗Rcの値の上昇を防止すること。【構成】 本発明のイメージセンサの製造方法は、センサ駆動回路用のpoly-SiTFTと、このpoly-SiTFT上に配置されるとともにコンタクトビアが形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に配置された受光量検出用のセンサ部とが絶縁基板上に形成され、前記コンタクトビアが保護金属で被覆されたイメージセンサの製造方法において、前記コンタクトビアが形成された後に水素化処理が行われる。

Claim (excerpt)：

センサ駆動回路用のpoly-SiTFTと、このpoly-SiTFT上に配置されるとともにコンタクトビアが形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に配置された受光量検出用のセンサ部とが絶縁基板上に形成され、前記コンタクトビアが保護金属で被覆されたイメージセンサの製造方法において、前記コンタクトビアが形成された後に水素化処理が行われることを特徴とするメージセンサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 C