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J-GLOBAL ID：200903087648836051
縦型MOS電界効果トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210303
Publication number (International publication number)：1996213615
Application date： Nov. 15, 1985
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 単位面積当たりのオン抵抗の低減可能な縦型MOSFETを提供することを目的とする。【構成】 本発明の縦型MOSFETのドレイン領域にソース領域より深い高濃度のドレイン領域9をチップ全面に設けて、ドレイン領域内のジャンクションFET部分のオン抵抗を低減するとともに、デバイス全面に電子を流すことを可能にしてオン抵抗を低減させるような構成を有している。
Claim (excerpt)：
一導電型の第一層と同第一層より高い不純物濃度で同第一層全面と接続形成された一導電型の第二層とを備えた半導体基板と、前記第二層内に選択的に作り込まれた最深部が前記第二層の厚みを越えない深さの逆導電型のチャンネル領域と、前記チャンネル領域内に選択的に作り込まれた一導電型のソース領域と、前記ソース領域と前記第二層間の前記チャンネル領域上に形成されたゲートとを備えた縦型MOS電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 652 G
, H01L 29/78 658 E
