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J-GLOBAL ID：200903087655539011
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308326
Publication number (International publication number)：1994089904
Application date： Oct. 25, 1982
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 絶縁ゲート型FETに浅い高濃度のソース、ドレインを形成する、生産効率のよい製造方法を提供する。【構成】 必要とされる高濃度の浅い接合の形成を、プラズマ化された不純物を含む雰囲気中におけるドーピングによって行う。この際、ドーピングを行う半導体上に選択的に絶縁物を形成し、該絶縁物に形成された開孔部を用いて、プラズマによるドーピングを行う。
Claim (excerpt)：
半導体と該半導体上に開穴部を有する絶縁物とを有し、前記開穴部において前記半導体表面が露呈した半導体装置を、プラズマ処理装置内に配設し、電気エネルギを与えて、プラズマ化した水素またはヘリュームで希釈された3価または5価の不純物の反応性気体雰囲気に露呈せしめることにより、前記開穴部の前記半導体内に3価または5価の不純物をプラズマイオン注入して不純物領域を形成せしめる工程と、該工程の後、導体または半導体を前記絶縁物上および前記不純物領域上に形成せしめることを特徴とする半導体装置作製方法。
IPC (3)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/265 D
