III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001142
Publication number (International publication number)：2002208730
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】蛍光体を利用した発光素子において、製造工程を簡略化すること、蛍光体の添加量の制御を容易にすること、及び効率的に蛍光体を励起、発光させ高輝度の発光を得ることを課題とする。【解決手段】サファイア基板上に複数のIII族窒化物系化合物半導体層を形成させて構成される発光素子において、いずれかの半導体層に蛍光体を含有させることにより、発光素子自体に蛍光体を組み込む。当該層をMOCVD法により成長させる際、原料ガスの一部として蛍光体を含有するガスを供給することにより、蛍光体を含有する層が形成される。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に形成される複数のIII族窒化物系化合物半導体層と、を備え、前記III族窒化物系化合物半導体層の少なくとも一つの層には蛍光体が含有されている、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 N

F-Term (8)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA42 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-258014 Applicant：ソニー株式会社
半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-237492 Applicant：株式会社東芝
特開平3-227092

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