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J-GLOBAL ID:200903087673516711

薄膜EL素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993266859
Publication number (International publication number):1995122365
Application date: Oct. 26, 1993
Publication date: May. 12, 1995
Summary:
【要約】【目的】 改良された発光層を有する高輝度の薄膜EL素子の提供等。【構成】 基板上に、第1の電極層と、第1の絶縁層と発光層と、第2の絶縁層と第2の電極層とが、この順序で積層されて、第1と第2の電極層の間に電圧を印加することによってEL発光を行う薄膜EL素子であって、前述の発光層が、一種類以上の有機金属化合物を含むペースト組成物を印刷あるいは塗布する工程と、これを焼成、熱分解する工程と、によって作製される。
Claim (excerpt):
基板上に、第1の電極層と、第1の絶縁層と発光層と、第2の絶縁層と第2の電極層とが、この順序で積層されて、前記第1と第2の電極層の間に電圧を印加することによってEL発光を行う薄膜EL素子の製造方法において、前記発光層が、一種類以上の有機金属化合物を含むペースト組成物を印刷あるいは塗布し、これを焼成、熱分解させることにより作製されることを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
IPC (3):
H05B 33/10 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-133287
  • 特開昭62-243285
  • 特開昭59-078491

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