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J-GLOBAL ID：200903087680381953

量子カスケードレーザを有する物品

Inventor： フェデリコ カパッソ ,  アルフレッド イ チョ ,  ジェローム フェイスト ,  アルバート リー ハッチンソン ,  ゲイタノ スカマーシオ ,  カルロ サートリ ,  デボラ リー シブコ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280322
Publication number (International publication number)：1998144995
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 新たな種類のQCレーザを提供する。【解決手段】 本発明のQCレーザは、第1と第2のクラッド層と、このクラッド層間のコア領域とを有する。このコア領域は、ほぼ同一の多層半導体繰り返し単位11を複数有し、各繰り返し単位は、活性領域12とキャリア注入領域13とを有する。活性領域は、上位ミニバンド171と、下位ミニバンド161を有する超格子領域を有し、上位ミニバンドと下位ミニバンドとの間にミニギャップが形成される。キャリア注入領域は、ある繰り返し単位の下位ミニバンドから隣接する下流側の繰り返し単位の上位ミニバンドへのキャリアの位相が容易となるよう選択される。活性領域は波長が3-15μmの範囲にあるよう選択される。

Claim (excerpt)：

コア領域をその間に挟んだ第1と第2のクラッド領域と、電流を流すための電気接点とを含む量子カスケードレーザを有する物品において、前記コア領域は、ほぼ同一の多層半導体繰り返しユニット(11)を複数有し、各繰り返しユニットは、活性領域(12)とキャリア注入領域(13)とを有し、前記活性領域は、上位エネルギ状態と下位エネルギ状態とを有し、前記上位エネルギ状態から下位エネルギ状態へのキャリアの移動が波長λのフォトンを放射し、(a)前記活性領域は、上位ミニバンド(171)と、下位ミニバンド(161)を有する超格子領域を有し、前記上位ミニバンドと下位ミニバンドとの間にミニギャップが形成され、前記上位エネルギ状態は、上位ミニバンド内にあり、下位エネルギ状態は、下位ミニバンド内にあり、(b)前記キャリア注入領域は、ある繰り返しユニットの下位ミニバンドから隣接する下流側の繰り返しユニットの上位ミニバンドへのキャリアの位相が容易となるよう選択されることを特徴とする量子カスケードレーザを有する物品。