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J-GLOBAL ID：200903087684442388

薄膜形成方法および薄膜形成装置

Inventor： 佐竹 徹也 ,  西村 浩之 ,  反田 哲史 ,  足達 廣士
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995131736
Publication number (International publication number)：1996330303
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 均質な薄膜が得られ、例えば半導体集積回路の微細回路形成時の歩留まりが向上し、装置の汚染も防止される薄膜形成方法を得ることができる。【構成】 水、テトラエトキシシランおよびエタノールからなるゾルゲル溶液1のエアロゾル6を発生させて反応容器8へ運び、バブラー15とためます16から得られるエタノール蒸気を反応容器8に供給しながら基板10にエアロゾル6を付着させて薄膜層を形成する。

Claim (excerpt)：

水と膜原料とこの膜原料を溶解する有機溶媒とを含有するゾルゲル溶液を噴霧して上記ゾルゲル溶液のエアロゾルを生成し、このエアロゾルを、上記有機溶媒の蒸気を供給しながら基板に付着させて薄膜層とする薄膜形成方法。

IPC (8)：

H01L 21/316 ,  B01J 19/00 ,  B05D 1/02 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 301 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/768

FI (8)：

H01L 21/316 T ,  B01J 19/00 K ,  B05D 1/02 ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/24 301 J ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/90 P