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J-GLOBAL ID：200903087696245545

半導体基材の作製方法

Inventor： 市川 武史 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991213149
Publication number (International publication number)：1993036951
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 絶縁性基体上に、結晶性が単結晶ウエハー並に優れたSi結晶層を得ることを目的とする。また、そのための、温度制御方法を提供する。【構成】 シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化したシリコン基体11上に第1の温度で非多孔質シリコン単結晶層12を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面を、表面に絶縁物14を有する他のシリコン基体13に貼り合わせる工程と、該貼り合わせた基体の前記多孔質シリコンを無電解湿式化学エッチングにより除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、前記非多孔質シリコン単結晶層上に、前記第1の温度より高い第2の温度で単結晶シリコン層15をエピタキシャル成長により形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。

Claim (excerpt)：

シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化したシリコン基体上に第1の温度で非多孔質シリコン単結晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面を、表面に絶縁物を有する他のシリコン基体に貼り合わせる工程と、該貼り合わせた基体の前記多孔質シリコンを無電解湿式化学エッチングにより除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、前記非多孔質シリコン単結晶層上に、前記第1の温度より高い第2の温度で単結晶シリコン層をエピタキシャル成長により形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20