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J-GLOBAL ID：200903087698425397
ガス濃度検知器付常圧CVD装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井ノ口 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992086340
Publication number (International publication number)：1993259093
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 常圧CVD装置において、半導体基板上に膜を生成する場合、反応ガス中の不純物濃度異常による膜質異常を防止する。【構成】 反応ガス流量設定器1a,1bおよび1cと整流器3を接続する配管2の間に、不純物濃度検知器6,不純物濃度制御器7を設けてある。そして、不純物濃度制御器7の出力は反応ガス流量設定器1a,1bおよび1cに接続されている。これにより反応ガス中の不純物濃度が常に一定になるように制御され、不純物濃度異常による膜質異常を防止できる。
Claim (excerpt)：
常圧状態で加熱された半導体基板上に反応ガスを散布し半導体基板上に膜を生成する常圧CVD装置において、反応ガス中の不純物濃度を常時検出し、その濃度を設定値に制御する制御機構を備えたことを特徴とするガス濃度検知器付常圧CVD装置。
IPC (2)：
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