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J-GLOBAL ID：200903087706667885

周辺露光方法および装置

Inventor： 岸川 豊
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995354321
Publication number (International publication number)：1997186066
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 露光パワ-を向上させてスル-プットを向上させ、しかも周辺露光の任意露光形状を高精度に制御し得る周辺露光方法を提供する。【解決手段】 リソグラフィ-プロセスにおけるレジストコ-ティング時に被処理基板の周辺露光をスリットを介して行なう際、集光露光によって行なうと共に、上記集光された光が可変スリットを介して周辺露光に供される。

Claim (excerpt)：

半導体リソグラフィ-プロセスにおけるレジストコ-ティング時に被処理基板の周辺露光をスリットを介して行なう際、集光する光によって露光を行なうことを特徴とする周辺露光方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 577 ,  G03F 7/20 521