Pat

J-GLOBAL ID：200903087713269887

半導体発光装置

Inventor： 室伏 仁 ,  佐野 武志
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 清水 敬一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999296184
Publication number (International publication number)：2001119067
Application date： Oct. 19, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子と半導体発光素子を被覆する被覆体との界面での全反射を抑制して光取出効率を改善する。【解決手段】半導体発光装置の半導体発光素子(5)を被覆する光透過性の被覆体(12, 21)は半導体発光素子(5)が照射する光の少なくとも一部を吸収して励起され、これとは異なる波長の光を放出する蛍光体(22)を含み、半導体発光素子(5)の発光層(5d)と蛍光体(22)とが実質的に同一の組成の化合物半導体から構成される。被覆体(12, 21)は、半導体発光素子(5)の発光層(5d)の屈折率と実質的に同一の屈折率を有する蛍光体(22)を含むため、被覆体(12, 21)全体を発光層(5d)の屈折率に近い屈折率で構成できるので、全反射の生じる限界の臨界角と成る入射角θcを大きくでき、半導体発光素子(5)から照射された光による被覆体(12, 21)との界面での反射を著しく抑制することができる。

Claim (excerpt)：

基体と、該基体に固着された半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆する光透過性を有する被覆体とを備えた半導体発光装置において、前記被覆体は前記半導体発光素子の発光する光の少なくとも一部を吸収して励起され、これとは異なる波長の光を放出する蛍光体を含み、前記半導体発光素子の発光層と前記蛍光体とは同一の組成の化合物半導体から成ることを特徴とする半導体発光装置。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N

F-Term (12)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA16 ,  5F041DA25 ,  5F041DA43 ,  5F041DA55 ,  5F041DA57