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J-GLOBAL ID：200903087719543468

シラナミン誘導体およびその製造方法

Inventor： 川村 久幸 ,  細川 地潮 ,  楠本 正
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 中村 静男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078344
Publication number (International publication number)：1994293778
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】酸化に強いとともに再結晶化を起こしにくい正孔輸送層等を得るのに好適なシラナミン誘導体を提供する。【構成】本発明のシラナミン誘導体は、一般式(I)【化1】(式中、Ar1 は炭素数6〜20のアリール基または炭素数3〜10の複素芳香環基であり、これらの基にはアルキル基またはフェニル基が核置換されていてもよい。Ar2 は炭素数7〜20のアリール基または炭素数3〜10の複素芳香環基であり、これらの基にはアルキル基またはフェニル基が核置換されていてもよい。Ar3 は炭素数6〜20のアリール基であり、これらの基にはアルキル基が核置換されていてもよい。)で表されるものである。

Claim (excerpt)：

一般式(I)【化1】(式中、Ar1 は炭素数6〜20のアリール基または炭素数3〜10の複素芳香環基であり、これらの基にはアルキル基またはフェニル基が核置換されていてもよい。Ar2 は炭素数7〜20のアリール基または炭素数3〜10の複素芳香環基であり、これらの基にはアルキル基またはフェニル基が核置換されていてもよい。Ar3 は炭素数6〜20のアリール基であり、この基にはアルキル基が核置換されていてもよい。)で表されるシラナミン誘導体。

IPC (2)：

C07F 7/10 ,  C09K 11/06