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J-GLOBAL ID：200903087725392820

薄膜コンデンサとその製造方法、及び薄膜コンデンサを備えるコンピュータ

Inventor： 藤原 徹男 ,  生田目 俊秀 ,  鈴木 孝明 ,  村田 康彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999348423
Publication number (International publication number)：2001167975
Application date： Dec. 08, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 1GHz以上の高周波領域でも静電容量の低下が小さい薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 下部電極26上にペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜を形成し、その後、水素を含む雰囲気における熱処理、上部電極と下部電極との間にペロブスカイト型酸化物の抗電界以上の直流電界を1秒以上印加する処理、上部電極と下部電極との間にペロブスカイト型酸化物の抗電界以上の電界を正負交互に105回以上印加する処理のいずれかを行い、誘電体薄膜の残留分極値を2.0μC/cm2以下にする。

Claim (excerpt)：

上部電極と、誘電体薄膜と、下部電極とを有する薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極と前記下部電極の間に印加する電圧の周波数が1kHz以下の場合の低周波比誘電率が500以上であり、前記周波数を1GHzにした場合の高周波比誘電率が前記低周波比誘電率の値の80%以上であることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3)：

H01G 4/33 ,  C04B 35/49 ,  H01G 4/12 415

FI (3)：

C04B 35/49 Z ,  H01G 4/12 415 ,  H01G 4/06 102

F-Term (36)：

4G031AA03 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH00 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BB05 ,  5E082BC30 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP01 ,  5E082PP05 ,  5E082PP06 ,  5E082PP08