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J-GLOBAL ID：200903087730307458
低速陽電子発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992047054
Publication number (International publication number)：1993249296
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、例えば陽電子顕微鏡の線源として用いられる低速陽電子発生装置に関し、大量の低速陽電子を発生できる低速陽電子装置を得ることを目的とする。【構成】 低速陽電子発生部は、20ミクロンのタングステン箔6aを複数枚平行に配設してなるターゲット6と、低速陽電子を取り出す電極7とから構成されている。ターゲット6には電子ビーム4が照射される。各タングステン箔6a中では、高エネルギーX線、高速の陽電子および低速の陽電子が生成される。この低速の陽電子は、タングステン箔6a中で電子との対生成による対消滅する以前に、タングステン箔6a表面にまで拡散移動され、低速陽電子5として取り出される。
Claim (excerpt)：
複数枚のタングステン箔を互いに平行に配設して低速陽電子発生部を構成したことを特徴とする低速陽電子発生装置。
IPC (3)：
G21K 1/00
, G21G 1/10
, H05H 7/08
