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J-GLOBAL ID：200903087748045108
窒化物半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317847
Publication number (International publication number)：1996264891
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体の新規な電流狭窄と、光閉じ込め技術を提案することにより、レーザ素子を実現する。【構成】 基板10の上に少なくともn型クラッド層20と活性層30とp型クラッド層40とが順に積層された構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、n型クラッド層20、活性層30、およびp型クラッド層40に接して、活性層よりも屈折率が小さい第一のp型窒化物半導体層50が形成され、その第一のp型窒化物半導体層に接して第二のn型窒化物半導体層51が形成され、さらにそのn型窒化物半導体層に接して正電極61、およびp型クラッド層40と電気的に接続された第三のp型窒化物半導体層52が形成されている。
Claim (excerpt)：
基板の上に少なくともn型クラッド層と活性層とp型クラッド層とが順に積層された構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型クラッド層、活性層、およびp型クラッド層に接して、活性層よりも屈折率が小さい第一のp型窒化物半導体層が形成され、その第一のp型窒化物半導体層に接して、第二のn型窒化物半導体層が形成され、さらにそのn型窒化物半導体層に接して、正電極およびp型クラッド層と電気的に接続された第三のp型窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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