半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999066893
Publication number (International publication number)：2000268596
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】効率的にプログラム可能であり、かつ高速なスペアによる救済が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリコア部1000は、プログラム部20および電圧供給部30を備える。プログラム部20は、プログラム構成部22、ラッチ部24およびアドレス比較部26を含む。プログラム構成部22は、プログラム電圧によりブローされる電気フューズを含んでいる。電圧供給部30は、救済アドレスごとに、プログラム部20にプログラム電圧を供給する。ラッチ部24は、転送信号TGに基づき、プログラム構成部20におけるプログラム状態を保持する。アドレス比較部26は、入力アドレスとラッチしたプログラム状態に基づき、スペア判定結果を出力する。

Claim (excerpt)：

行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに含まれる不良メモリセルを救済するための複数のスペアメモリセルと、複数のアドレスプログラム回路とを備え、前記複数のアドレスプログラム回路のそれぞれは、プログラム電圧により前記不良メモリセルを前記救済するための救済アドレスをプログラムすることが可能であって、前記プログラム電圧を外部から受けるパッドと、前記複数のアドレスプログラム回路のそれぞれに対して、前記プログラム電圧を選択的に供給する電圧供給回路とをさらに備える、半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 29/00 603 , G11C 29/00 , G11C 11/401 , G11C 16/06 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (8)：

G11C 29/00 603 L , G11C 29/00 603 J , G11C 29/00 603 K , G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 371 D , G11C 17/00 639 A , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 681 F

F-Term (22)：

5B024AA09 , 5B024BA18 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5B024CA16 , 5B024CA17 , 5B025AA07 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD13 , 5F083AD00 , 5F083EP00 , 5F083LA06 , 5F083ZA10 , 5L106AA01 , 5L106CC04 , 5L106CC05 , 5L106CC13 , 5L106CC17 , 5L106CC21 , 5L106CC32 , 5L106GG07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体メモリのセルフリペア装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-232345 Applicant：三星電子株式会社

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