Pat
J-GLOBAL ID:200903087790910803
光電変換素子および光電池
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999351842
Publication number (International publication number):2001168359
Application date: Dec. 10, 1999
Publication date: Jun. 22, 2001
Summary:
【要約】【課題】 短絡、経時劣化などによる光電変換性能の低下のない光電変換素子および光電池を提供する。また、光電変換性能の低い素子の製造割合を低減することにより、生産性を向上させる。【解決手段】 導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子含有感光層、正孔輸送層および対極とを含有する光電変換素子において、該正孔輸送層を無電解めっき法により作製することにより光電変換素子を構成する。
Claim (excerpt):
導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子を含有する感光層、正孔輸送層および対極を有する光電変換素子において、該正孔輸送層が無電解めっき工程を含む方法により作製されたものであることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
FI (2):
C23C 18/31 A
, H01L 31/04 Z
F-Term (29):
4K022AA05
, 4K022AA31
, 4K022AA43
, 4K022BA06
, 4K022BA07
, 4K022BA08
, 4K022BA09
, 4K022BA10
, 4K022BA12
, 4K022BA14
, 4K022BA15
, 4K022BA28
, 4K022BA33
, 4K022BA36
, 4K022CA03
, 4K022CA06
, 4K022CA07
, 4K022CA15
, 4K022CA18
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022DB02
, 4K022DB03
, 4K022DB05
, 4K022DB06
, 4K022DB08
, 4K022EA02
, 4K022EA04
, 5F051AA14
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