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J-GLOBAL ID：200903087797657771
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993121457
Publication number (International publication number)：1994333933
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 SiGeをベ-スに用いたヘテロ接合BipTrのベ-ス、エミッタ間の界面準位の発生を防止してリ-ク電流を低減するとともに、微細化、高速化を促進する。【構成】 コレクタ3とシリコン酸化膜25とが形成された基板1上に、SiGeとSiとを連続してエピタキシャル成長させ、その上に形成したエミッタ・ベ-ス形成パタ-ン48を注入マスクにして不純物イオンを注入し、さらに、エミッタ・ベ-ス形成パタ-ン48にサイドウォ-ル49を形成して再度不純物イオンを注入した後基板1を熱処理することによって、SiGeベ-ス層26とSiベ-ス層27とエミッタ層35とベ-ス引き出し層34を形成する。このようにセルフアラインを用いて微細化を図り、SiGeとSiとの連続成長によりベ-ス、エミッタ間の界面準位の発生を防止する。
Claim (excerpt)：
第1導電型のコレクタとなるシリコン領域と絶縁領域とを持つ半導体基板に、上記コレクタ上に形成された第2導電型の真性ベ-ス領域と、これに隣接して外側に真性ベ-ス領域と同一導電型でより高濃度に形成されたベ-ス引き出し層と、上記真性ベ-ス領域上に形成された第1導電型のエミッタ層と、エミッタ・ベ-ス間絶縁膜と、上記エミッタ層に接続形成されたエミッタ電極とを有する半導体装置において、上記真性ベ-ス領域が、下層部分のシリコンゲルマニウム(以下SiGeと称す)ベ-ス層と上層部分のシリコン(以下Siと称す)ベ-ス層との2層で構成され、上記SiGeベ-ス層上のうち、中央部にシリコン膜から成る上記エミッタ層が、それ以外に上記Siベ-ス層が形成されるとともに、上記ベ-ス引き出し層が、上記コレクタ上から上記絶縁領域上にわたって形成され、上記コレクタ上部分の上記ベ-ス引き出し層が、高濃度Siベ-ス層とその上の高濃度SiGeベ-ス層とその上の高濃度Siベ-ス層とによって構成され、上記絶縁領域上部分の上記ベ-ス引き出し層が、高濃度多結晶SiGe層とその上の高濃度多結晶Si層とによって構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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