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J-GLOBAL ID：200903087824528334

結晶成長方法及びその結晶成長方法を用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 大川 和宏 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317244
Publication number (International publication number)：1996008274
Application date： Dec. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】分子線エピタキシ法を用い、ZnMgSSe単結晶薄膜、ZnSSe単結晶薄膜、ZnCdSe単結晶薄膜を高い組成再現性および高いキャリア密度再現性および低コストで結晶成長し、これらの材料から構成されるデバイスを再現性よく、低コストで供給する。【構成】金属Mg、MgS化合物、MgS化合物のいずれか一つとZnSe化合物とZnS化合物の3種類を原料として、または金属Mg、MgS化合物、MgSe化合物のいずれか一つとZnSSe混晶の2種類を原料として、またはZnMgSSe混晶のみを原料として用い、各分子線強度および蒸発温度を制御し、100°Cから400°Cに加熱された基板上にZnSSe単結晶薄膜を成長する。金属Cd、CdSe化合物のいずれか一つとZnSe化合物の2種類を原料として、またはZnCdSe混晶のみを原料として用い、各分子線強度および蒸発温度を制御し、100°Cから400°Cに加熱された基板上にZnCdSe単結晶薄膜を成長する。

Claim (excerpt)：

金属Mg、MgS化合物及びMgSe化合物からなる群から選択された何れか一つの材料と、ZnSe化合物と、ZnS化合物とを別々の加熱蒸発源にそれぞれ充填する工程と、該加熱蒸発源の温度及び分子線強度を制御することによって、加熱した基板上にZn<SB>1-Y</SB>Mg<SB>Y</SB>S<SB>Z</SB>Se<SB>1-Z</SB>(0<Y<1かつ0<Z<1)単結晶薄膜を結晶成長させる工程と、を包含する結晶成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/363 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/06 ,  H01S 3/18