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J-GLOBAL ID：200903087829605353

光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成方法

Inventor： 菅原 保 ,  小松 ▲隆▼一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062599
Publication number (International publication number)：1998259096
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 育成した単結晶インゴットから波長変換素子のような光学材料を切出すときに単結晶インゴットを無駄なく、高い歩留りで使える。【解決手段】 四ほう酸リチウム単結晶のc軸から所定の角度θmだけ傾いた位相整合方位に切出した種結晶10を用いて、チョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶28を育成する方法である。

Claim (excerpt)：

四ほう酸リチウム単結晶のc軸から所定の角度(θm)だけ傾いた位相整合方位に切出した種結晶(10)を用いて、チョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶を育成する方法。

IPC (3)：

C30B 29/22 ,  C30B 15/36 ,  G02F 1/35 505

FI (3)：

C30B 29/22 C ,  C30B 15/36 ,  G02F 1/35 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-080428   Applicant：信越化学工業株式会社