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J-GLOBAL ID：200903087834081230

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 布居 徹 ,  韓 礼元
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001122780
Publication number (International publication number)：2002319689
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 大面積化、低コスト化を可能とする光電変換素子を提供することを課題とする。【解決手段】 支持体、第1導電層、光電変換層、キャリア輸送層、第2導電層及び可撓性のフィルムをこの順で構成してなる光電変換機能を有する単位素子からなる光電変換素子において、支持体にパターニング形成された第1導電層と、可撓性のフィルムにパターニング形成された第2導電層とを部分的に接触させることにより複数の単位素子が電気的に直列接続されてなることを特徴とする光電変換素子により、上記の課題を解決する。

Claim (excerpt)：

支持体、第1導電層、光電変換層、キャリア輸送層、第2導電層及び可撓性のフィルムをこの順で構成してなる光電変換機能を有する単位素子からなる光電変換素子において、支持体にパターニング形成された第1導電層と、可撓性のフィルムにパターニング形成された第2導電層とを部分的に接触させることにより複数の単位素子が電気的に直列接続されてなることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (12)：

5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051CB12 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051JA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE03 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭51-110985
  
• 特開昭60-004270
  
• 特表平5-504023