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J-GLOBAL ID：200903087839979677

酸化物超電導体

Inventor： 尾鍋 和憲 ,  定方 伸行 ,  斉藤 隆 ,  河野 宰
Applicant, Patent owner： 超電導発電関連機器・材料技術研究組合
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991208552
Publication number (International publication number)：1993024806
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】 基体上に酸化物超電導膜が形成されてなる酸化物超電導体において、酸化物超電導膜3の成膜温度よりも高い耐用温度の金属材料からなる芯材4の表面に、貴金属からなる非反応膜5を設け、この非反応膜表面を平滑処理した基体2を用いたことを特徴とした酸化物超電導体1。【効果】 基体上に酸化物超電導薄膜を形成する際、結晶配向方向がc軸配向となり高特性の超電導薄膜が成膜でき、優れた特性の超電導体が得られる。

Claim (excerpt)：

基体上に酸化物超電導膜が形成されてなる酸化物超電導体において、前記基体に、酸化物超電導膜の成膜温度よりも高い耐用温度の金属材料からなる芯材の表面に貴金属からなる非反応膜を設け、該非反応膜表面を平滑処理したものを用いたことを特徴とした酸化物超電導体。

IPC (5)：

C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565