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J-GLOBAL ID：200903087845350896

強磁性トンネル素子及びその製造方法

Inventor： 渦巻 拓也 ,  山岸 亙 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995259938
Publication number (International publication number)：1997106514
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 強磁性トンネル素子の保磁力差を基板加熱法以外の方法で形成する,及び絶縁体から強磁性体への酸素の拡散を防ぐ。【解決手段】 1)強磁性体層/絶縁体層/強磁性体層の3層構造からなるトンネル接合を有し,該トンネル接合の一方の強磁性体層の外側上に反強磁性体層を積層してなる,2)前記強磁性体層を成膜中のガス圧を変化させることにより,両方の強磁性体の保磁力差を形成する,3)前記強磁性体層を成膜中のガス圧及び成膜温度を変化させることにより,両方の強磁性体の保磁力差を形成する,4)前記強磁性体層を成膜を磁場中にて行うことにより,両方の強磁性体の保磁力差を形成する,5)強磁性体層/絶縁体層/強磁性体層の3層構造からなるトンネル接合を有し, 該トンネル接合の絶縁体の少なくとも片側に金属層が挿入されてなる。

Claim (excerpt)：

強磁性体層/絶縁体層/強磁性体層の3層構造からなるトンネル接合を有し,該トンネル接合の一方の強磁性体層の外側上に反強磁性体層を積層してなることを特徴とする強磁性トンネル素子。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/00

FI (2)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-103014
  
• 磁気抵抗複合素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-244448   Applicant：三菱マテリアル株式会社