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J-GLOBAL ID：200903087849909901

熱処理装置

Inventor： 猪子 正憲 ,  小坂 昌平 ,  粟屋 優
Applicant, Patent owner： 鶴見曹達株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991112461
Publication number (International publication number)：1993217902
Application date： Apr. 16, 1991
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハなどの被処理体を熱処理するにあたって、被処理体への不純物の混入を抑えること。【構成】 熱処理炉4、サスセプタ6、軸部5及び熱処理炉4に近いガス導入管1の部分について、その全部あるいは表面のみを、ニッケルまたはニッケルを主成分とする材質で構成する。具体的にはこのような構造は、例えばステンレス鋼を用いて作った成形体の表面にニッケルメッキを施すことによって達成することができる。そして前記熱処理炉4内をヒータ3により所定温度に加熱し、SiHCl3、H2ガスを熱処理炉4内に導入してウエハWに対して例えばCVD処理を行うと、熱処理分解及び再結合によって塩化水素ガスが生成されるが、装置の内表面に塩化水素ガスが接触しても、ここからは不純物が発生しない。

Claim (excerpt)：

水素及びハロゲンを含む処理ガスを用いて被処理体に熱処理を行う装置において、処理ガスに接触しかつ加熱される部分を、ニッケルを主成分とする材質で構成したことを特徴とする熱処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-191403
  
• 特開昭60-252434
  
• 特開昭47-042541