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J-GLOBAL ID：200903087850766480

半導体装置

Inventor： 新井 功
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277012
Publication number (International publication number)：1996116031
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 特性変更を回避しつつ、スパイラルインダクタの機械的強度を高める。【構成】 スパイラルインダクタ7の最外周に外周太幅部17を形成し、この外周太幅部17を第2層間膜14に埋設された環状の外側引出し配線13に環状のコンタクト部18を介して機械的にアンカーする。【効果】 外周太幅部17は径方向内向きの外力を確実に支えることができ、スパイラルインダクタ7のスパイラルパターンの変形を防止できる。スパイラルインダクタ7のパターン幅が変更されるのは、長いスパイラルインダクタ7のうち極僅かな最外周部分のみであるため、スパイラルインダクタ7全体としての特性変更および外径寸法増加は抑制できる。

Claim (excerpt)：

スパイラルインダクタを備えている半導体装置において、前記スパイラルインダクタはその外周部の幅が他部の幅よりも大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 1/00