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J-GLOBAL ID：200903087873053554

薄膜ガスセンサ

Inventor： 鈴木 卓弥 ,  小野寺 克己 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999096270
Publication number (International publication number)：2000292394
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電池駆動を可能にするため、その大きさ等を工夫することにより、応答時間を短縮し低消費電力化を図る。【解決手段】 ガス感知膜を含む発熱部を半径100μmの円内に入る大きさとすることで、応答時間を所定時間内にし得るようにする。また、ガス感知膜をダイヤフラム直径の1/2の円内に入る大きさとすることにより、消費電力を所定値内に収められるようにする。

Claim (excerpt)：

Si基板の一側面中央部がダイヤフラム様にくりぬかれた基板面上に支持膜を介して薄膜ヒーターを形成し、その上に電気絶縁層を介して電極(感知膜電極)を形成し、さらにその上に感知膜を形成した薄膜ガスセンサにおいて、前記感知膜を含む発熱部を半径100μmの円内に入る大きさとすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G08B 21/00

FI (2)：

G01N 27/12 B ,  G08B 21/00 W

F-Term (21)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BB06 ,  2G046BB08 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046DC09 ,  2G046EA02 ,  2G046EA07 ,  2G046EA09 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FE10 ,  2G046FE25 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ガスセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-048946   Applicant：富士電機株式会社
• ガスセンサ及びガス検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-052164   Applicant：株式会社リコー