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J-GLOBAL ID：200903087875019574
強誘電体メモリ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994057505
Publication number (International publication number)：1995273297
Application date： Mar. 28, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、酸化物強誘電体薄膜内部の吸着水の存在に起因する絶縁耐圧特性、強誘電体の分極反転時の劣化が低減することを主要な目的とする。【構成】 Si基板(41)と、この基板(41)上に設けられ、下部電極(51)、強誘電体薄膜(52)、上部電極(53)を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタ(50)と、前記強誘電体薄膜キャパシタ(50)及びSi基板(41)表面を直接接触して被覆する金属酸化物膜であり、水と反応して硬化する金属有機化合物を加熱焼成して形成される第1の保護膜(54)と、この第1の保護膜(54)を被覆する水素ガス遮断性の第2の保護膜(55)とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、この半導体基板上に設けられ、下部電極、酸化物強誘電体薄膜、上部電極を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタと、前記強誘電体薄膜キャパシタ及び半導体基板表面を直接接触して被覆する金属酸化物膜であり、水と反応して硬化する金属有機化合物を加熱焼成して形成される第1の保護膜と、この第1の保護膜を被覆する水素ガス遮断性の第2の保護膜とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (6)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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