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J-GLOBAL ID：200903087875958201

多分割イオン注入装置

Inventor： 中村 俊二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996057171
Publication number (International publication number)：1997245722
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 多分割イオン注入装置に関し、標準装置に組み込み可能で、且つ、半導体ウェハ面内におけるバラツキのないイオン注入が可能な多分割イオン注入装置を提供する。【解決手段】 ウェハ回転機構及びウェハ傾斜機構を設けると共に、ウェハ2よりイオンビーム6側にイオン注入領域3を選択的に設定するための開口部5を有するシャッタ機構4を設け、且つ、このシャッタ機構4にウェハ回転機構と連動して回転するための回転機構を設ける。

Claim (excerpt)：

ウェハ回転機構及びウェハ傾斜機構を設けると共に、ウェハよりイオンビーム側にイオン注入領域を選択的に設定するための開口部を有するシャッタ機構を設け、且つ、前記シャッタ機構に前記ウェハ回転機構と連動して回転するための回転機構を設けたことを特徴とする多分割イオン注入装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01J 37/317 C ,  H01J 37/317 B ,  H01L 21/265 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭62-281322
  
• 特開平3-046741
  
• 特開昭55-079865
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-281322
  
• 特開昭62-281322
  
• 特開平3-046741
  
• 特開平3-046741