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J-GLOBAL ID：200903087879804101

電力増幅器

Inventor： 乙部 健二
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997169416
Publication number (International publication number)：1999004125
Application date： Jun. 11, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 広い範囲の温度変化に対して簡単な構成で確実に温度補償を行い所望の特性を維持することができる電力増幅器の提供。【解決手段】 本発明の電力増幅器には、ゲート電圧Vgの変化に対してドレイン電流Idsの変化量が一定の電界効果トランジスタFETが設けられる。このFETは、温度変化に起因してゲート電圧-ドレイン電流特性が変動するが、温度変化をゲートリーク電流Igの変化として検出するゲートバイアス供給用抵抗R1が所定値に選定されているので、このゲートバイアス変化によってドレイン電流変動がうまく相殺される。この電力増幅器は、不純物がパルス状にドープされた活性層を備えるパルスドープFETを使用することにより温度補償効果が確実化され、また、隣接送信チャンネルを備える屋外用送受信設備に適用することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも最終段の増幅素子として電界効果トランジスタ(FET)を備える電力増幅器において、該FETのゲートバイアスが所定の抵抗値をもつ抵抗を介して供給されることを特徴とする電力増幅器。

IPC (4)：

H03F 3/16 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03F 1/30

FI (3)：

H03F 3/16 Z ,  H03F 1/30 A ,  H01L 29/80 B