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J-GLOBAL ID：200903087885922477

半導体ウエハ製造装置

Inventor： 黛 雅典 ,  今井 正人 ,  井上 和俊 ,  中原 信司
Applicant, Patent owner： 株式会社スーパーシリコン研究所
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092756
Publication number (International publication number)：1998275776
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハに対する熱による悪影響の排除、半導体ウエハへの金属不純物やパーティクル等の付着の防止、半導体ウエハの裏面の薄膜形成の防止により、高品質なエピタキシャルウエハを製造する。【解決手段】 エピタキシャル成長炉を備えた半導体ウエハ製造装置において、半導体ウエハ基板の裏面に対して搬送ガスを噴射することにより、半導体ウエハ基板を浮上させた状態でエピタキシャル成長炉内の基準位置まで半導体ウエハ基板を搬送する浮上搬送手段を備える。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板を予め定めた基準位置に設置して所定の反応温度に加熱した状態で反応ガス雰囲気に保持することによりエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉を備えた半導体ウエハ製造装置において、前記半導体ウエハ基板の裏面に対して搬送ガスを噴射することにより、前記半導体ウエハ基板を浮上させた状態で前記エピタキシャル成長炉内の基準位置まで前記半導体ウエハ基板を搬送する浮上搬送手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハ製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  B65G 49/07 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68

FI (6)：

H01L 21/205 ,  B65G 49/07 J ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68 A