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J-GLOBAL ID：200903087913331064

炭素材料の製法

Inventor： 山口 千春 ,  松井 久次 ,  安田 歩 ,  川瀬 昇
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999125502
Publication number (International publication number)：2000026985
Application date： May. 06, 1999
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】室温あるいは室温に近い温度で、高度に構造の制御された炭素材料を低コストで工業的に大量に合成する方法を提供する。【解決手段】ハロゲン原子を有する芳香族炭化水素誘導体および/またはハロゲン原子を含有する芳香族炭素誘導体を反応性陽極電解還元することを特徴とする炭素材料の製法。

Claim (excerpt)：

ハロゲン原子を有する芳香族炭化水素誘導体およびハロゲン原子を有する芳香族炭素誘導体の少なくとも1種を反応性陽極電解還元することを特徴とする炭素材料の製法。

IPC (2)：

C25B 3/04 ,  C01B 31/02 101

FI (2)：

C25B 3/04 ,  C01B 31/02 101 Z