Pat
J-GLOBAL ID：200903087916823294
電界放射型電子源及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995110354
Publication number (International publication number)：1996306302
Application date： May. 09, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 通常のフォトリソプロセス及び半導体プロセスにより容易に製造が可能であり、特にリフトオフプロセスを用いることなく、急峻な形状のエミッタ電極を有していると共にエミッタ電極とゲート電極との間隔がサブミクロンの精度で制御可能な電界放射型電子源を提供する。【構成】 金属又は半導体よりなる導電性基板10の上には、段差部11を介して低部表面12と高部表面13とが形成されており、高部表面13と段差部11との間に形成される鋭角な断面を持つ直線状の突出部14が陰極となる。高部表面13の上には高部絶縁膜15Aを介して高部電極16Aが形成されており、低部表面12の上には低部絶縁膜15Bを介して低部電極16Bが形成されている。陰極に対して正の電界を高部電極16A及び低部電極16Bのうちのいずれか一方に印加すると、陰極である直線状の突出部14から電子が放射される。
Claim (excerpt)：
基板上に段差部を介して形成された低部表面及び導電性の高部表面と、前記高部表面と前記段差部との角部に形成された陰極と、前記高部表面の上に絶縁層を介して形成され、前記陰極と対向し且つ前記陰極と電気的に絶縁されている高部電極と、前記低部表面の上に形成され、前記陰極と対向し且つ前記陰極と電気的に絶縁されている低部電極と、前記高部電極及び低部電極のうちの少なくとも1つと前記陰極との間に電圧が印加されると前記陰極から電子を放射することを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2)：
FI (4)：
H01J 1/30 B
, H01J 1/30 C
, H01J 9/02 B
, H01J 9/02 C
