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J-GLOBAL ID：200903087917009884
半導体装置の故障解析方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991281063
Publication number (International publication number)：1993121500
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の故障箇所を簡単に解析する方法を提供する。【構成】 ステップ1で半導体基板上に積層膜を構成した半導体装置の故障箇所を電気的測定により特定し、ステップ2で半導体装置にエネルギービームを照射して半導体基板まで達する穴を設けて故障箇所をマーキングし、ステップ3で故障箇所を荷電ビーム装置により解析する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に積層膜を構成した半導体装置の故障箇所を電気的測定により特定し、前記半導体装置にエネルギービームを照射して半導体基板まで達する穴を設けて故障箇所をマーキングし、前記故障箇所を荷電ビーム装置により解析する半導体装置の故障解析方法。
Patent cited by the Patent：
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