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J-GLOBAL ID:200903087926069130

レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 平井 順二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998346601
Publication number (International publication number):1999242337
Application date: Nov. 19, 1998
Publication date: Sep. 07, 1999
Summary:
【要約】【課題】 220nm以下の遠紫外光、特にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、エッチング耐性に優れたポリマーを用いた高感度で高解像性能を有する実用的なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 一般式[1a]【化1】(式中、Xは置換基を有していても良い多環式炭化水素基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表し、Rは保護された水酸基を1又は2個有する置換アルキル基又は置換アルケニル基を表す。)で示されるモノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーと、露光により酸を発生する感光性化合物と、これ等を溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法。
Claim (excerpt):
一般式[1a]【化1】(式中、Xは置換基を有していても良い多環式炭化水素基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表し、Rは保護された水酸基を1又は2個有する置換アルキル基又は置換アルケニル基を表す。)で示されるモノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーと、露光により酸を発生する感光性化合物と、これ等を溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/16 ,  C08F 32/00
FI (4):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/16 ,  C08F 32/00 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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