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J-GLOBAL ID：200903087926789884

III-V族化合物半導体の気相成長方法

Inventor： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士 ,  海野 恒弘
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996089338
Publication number (International publication number)：1997278596
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Oct. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】気相成長装置に簡単な改造を加えることによって、V族原料の利用効率を向上させ、V族原料の消費を少なくすることができ、かつV族原料の分解効率を安定にする。【解決手段】本発明は、有機金属化学気相成長方法によってIII -V族化合物半導体結晶を成長させるIII -V族化合物半導体の気相成長方法に適用される。原料ガスの流れ方向に対して結晶基板4よりも上流側に、V族原料の分解を促進させるための触媒5を配置する。

Claim (excerpt)：

有機金属化学気相成長方法によってIII -V族化合物半導体結晶を成長させるIII -V族化合物半導体の気相成長方法において、原料ガスの流れ方向に対して基板よりも上流側に、V族原料の分解を促進させるための触媒を配したことを特徴とするIII -V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/40 502 Z ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205