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J-GLOBAL ID：200903087951166506

液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスター

Inventor： 舟橋 正浩 ,  張 発培 ,  玉置 信之
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007227544
Publication number (International publication number)：2009057506
Application date： Sep. 03, 2007
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：

【課題】室温において、スピンコートなどの溶液プロセスによって高品位の液晶性の薄膜を作製することができ、また、高いキャリア移動度、高いon/off比を示すと共にイオン化ポテンシャルが高く、酸化され難く耐久性に優れた薄膜トランジスターを得ることができる新規な液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスターを提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示されるスメクティック液晶化合物。(式中、R1は炭素数1〜12の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基を、nは1〜3の整数を示す) 該液晶化合物をスピンコートすることにより薄膜トランジスターを得る。該薄膜を基板に設け、熱アニールした後、ソース電極、およびドレイン電極を真空蒸着し、トランジスターを作製する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される液晶化合物

IPC (7)：

C09K 19/34 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  C07D 333/18 ,  G02F 1/136

FI (7)：

C09K19/34 ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  C07D333/18 ,  G02F1/1368

F-Term (23)：

2H092JA24 ,  2H092KA09 ,  2H092MA04 ,  2H092NA11 ,  2H092NA27 ,  4H027BA04 ,  4H027BC05 ,  4H027DM05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32