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J-GLOBAL ID：200903087951472445

マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法

Inventor： 川畑 敏明 ,  中川 健二 ,  山口 清一郎 ,  田口 眞男 ,  角 一彦 ,  柳下 祐一郎
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996185104
Publication number (International publication number)：1997101616
Application date： Apr. 26, 1990
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明はマスク及びマスクを用いたパターン形成方法に関し、従来の解像力を越えて幅の狭いパターンを結像することができ、微細なパターンを解像度を向上させて形成することができると共に、パターンデータを簡略化できるマスク及びマスクをもちいたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 露光に用いる光に対して透明な透明基板層と、該透明基板層上に形成されたマスクパターン層とからなるマスクであって、マスクパターン層の少なくとも一部が光を透過させる位相シフト層のみからなり、位相シフト層を透過した光の位相とマスクのうち位相シフト層が設けられていない部分を透過した光の位相とでは180±30%の範囲の位相シフトが生じ、マスクパターン層は、順に隣接する第1、第2、第3及び第4の位相シフト層の交差点により点又は長円パターンを形成し、マスクのうち第1、第2、第3及び第4の位相シフト層を透過した光の位相と位相シフト層が設けられていない部分を透過した光の位相とでは夫々π/2,π,π/2,0の位相シフトを生じるように構成する。

Claim (excerpt)：

露光に用いる光に対して透明な透明基板層と、該透明基板層上に形成されたマスクパターン層とからなるマスクであって、該マスクパターン層の少なくとも一部が該光を透過させる位相シフト層のみからなり、該位相シフト層を透過した光の位相と該マスクのうち該位相シフト層が設けられていない部分を透過した光の位相とでは180±30%の範囲の位相シフトが生じ、該マスクパターン層は、順に隣接する第1、第2、第3及び第4の位相シフト層の交差点により点又は長円パターンを形成し、該マスクのうち該第1、第2、第3及び第4の位相シフト層を透過した光の位相と該位相シフト層が設けられていない部分を透過した光の位相とでは夫々π/2,π,π/2,0の位相シフトを生じる、マスク。

IPC (4)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528