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J-GLOBAL ID：200903087952072599

金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び、電子デバイス

Inventor：
宮本 ゆき

About 宮本 ゆき

, 
土屋 哲男

About 土屋 哲男


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社

, 
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007161753
Publication number (International publication number)：2008028381
Application date： Jun. 19, 2007
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：
【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】基材10上に(111)結晶面を有する金属膜14を形成する工程と、金属膜14の(111)結晶面に金属酸化物膜20を形成する工程と、金属膜14の(111)結晶面に形成された金属酸化物膜20の温度を25〜600°Cに維持し、金属酸化物膜20に対して紫外線を照射する工程と、を備える。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基材上に、(111)結晶面を有する金属膜を形成する工程と、 前記金属膜の(111)結晶面上に金属酸化物膜を直接形成する工程と、 前記金属酸化物膜の温度を25〜600°Cに維持し、前記金属酸化物膜に対して紫外線を照射する工程と、を備える金属酸化物膜の製造方法。
IPC (7)：
H01G 4/33 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01G 4/12 ,  C01G 23/00 ,  C30B 29/32
FI (7)：
H01G4/06 102 ,  H01L21/316 B ,  H01L27/10 444C ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  C01G23/00 C ,  C30B29/32 C
F-Term (60)：
4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CB08 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G077AA02 ,  4G077AB08 ,  4G077BC42 ,  4G077CA02 ,  4G077CA09 ,  4G077EF02 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA05 ,  4G077JA01 ,  4G077JA03 ,  4G077JB01 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  5E001AB06 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082BB01 ,  5E082EE05 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG54 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083HA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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