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J-GLOBAL ID：200903087972582836

プラズマ処理装置

Inventor： 柳 義弘 ,  中山 一郎 ,  奥村 智洋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995004174
Publication number (International publication number)：1996195296
Application date： Jan. 13, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高真空で大面積にわたり高密度プラズマを発生することが可能で、耐久性に優れた低価格のプラズマ処理装置を提供する。【構成】 高周波誘導結合用コイル4a,4b,4c,4dに高周波電圧を印加することにより、真空容器3内にプラズマを発生させて基板を処理するプラズマ処理装置で、複数の貫通窓2a,2b,2c,2dを形成した金属よりなる枠体2を設けるとともに、前記複数の貫通窓2a,2b,2c,2dを閉塞する石英板1a,1b,1c,1dを配置し、前記石英板1a,1b,1c,1dの各々に高周波誘導結合用コイル4a,4b,4c,4dを載置した。

Claim (excerpt)：

箱状の真空容器内に処理すべき基板を配置し、外部より高周波誘導結合により前記真空容器内にプラズマを発生させて前記基板を処理するプラズマ処理装置において、前記箱状の真空容器の一面が、複数の貫通窓にそれぞれ石英板が嵌め込まれた金属製枠体からなり、前記各石英板上に、高周波誘導結合用コイルがそれぞれ配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-094530
  
• 特開昭53-014854
  
• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-071021   Applicant：住友金属工業株式会社